Całkowita wartość projektu: 1 775 000,00 zł
Wartość dofinansowania: 1 597 500,00 zł
Okres realizacji: czerwiec 2021 – maj 2023
Tytuł projektu: „Technologia wielofunkcyjnych obudów struktur tranzystorowych typu GaN/SiC”,
Akronim projektu: GaNPack
Cel projektu:
Celem projektu jest opracowanie technologii wytwarzania obudów tranzystorów na bazie azotku galu dla mikrofalowej elektroniki mocy przeznaczonych do wzmacniaczy dużej mocy wykorzystywanych w inteligentnych źródłach promieniowania mikrofalowego i wzmacniaczy w układzie Doherty dla stacji bazowych sieci LTE i 5G, tranzystorów mocy GaN HEMT (High Electron Mobility Transistors) wytwarzanych na podłożach z węglika krzemu. W badaniach planowane jest wykorzystanie struktur wykonywanych w Łukasiewicz-ITE na bazie autorskiej technologii. Do wykonania obudowy i połączeń tranzystora w z wyprowadzeniem na zewnątrz obudowy zostanie wykorzystana technologia zaawansowanych wielowarstwowych obwodów drukowanych (PCB) i podzespołów wbudowanych. Pozwoli to na efektywne odprowadzanie ciepła, optymalny montaż i efektywną dystrybucję prądu w strukturze. Prace będą wykonane na zmodernizowanej, nowoczesnej, laboratoryjnej linii wytwarzania obwodów drukowanych z wykorzystaniem zaawansowanych urządzeń produkcyjnych. W pracach planuje się zastosowanie najnowocześniejszych światowych technologii (HDI, podzespoły wbudowane, obróbka plazmą, obróbka laserowa ,wielowarstwowe skomplikowane podłoża, technologie chemicznej obróbki i przygotowania podłoży).
Kierownik projektu:
mgr inż. Wojciech Stęplewski